国家知识产权局信息显示线上配资排名，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“通孔形成方法、双大马士革制造工艺及半导体器件”的专利，公开号CN121035055A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种通孔形成方法、双大马士革制造工艺及半导体器件，先形成第一开口，第一开口贯穿导电部上方的第二刻蚀停止层和第一介质层并停止在第一刻蚀停止层上，再形成第二介质层，第二介质层填充第一开口并形成孔洞，接着形成相互贯通的第二开口和第三开口，第二开口停止在第二刻蚀停止层上，在孔洞位置处形成的第三开口停止在第一刻蚀停止层上，接着继续刻蚀，使第二开口延伸至第一介质层上，第三开口延伸至导电部上并暴露导电部的顶表面，第二开口和第三开口构成通孔。本发明的第二介质层中形成有孔洞，利用孔洞周围的第二介质层与其他位置的第二介质层的刻蚀速率差，减小通孔底部的关键尺寸，满足器件的电性需求。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可27个。
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作者：情报员
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